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WW - T9806732

Samsung 990 EVO, 2 To, M.2, 5000 Mo/s MZ-V9E2T0BW

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  • Algorithme de sécurité soutenu : 256-bit AES
  • Capacité du Solid State Drive (SSD) : 2 To
  • Choc hors fonctionnement : 1500 G
  • Classe TBW : 1200
Voir la description détaillée

Caractéristiques

Algorithme de sécurité soutenu :
256-bit AES
Capacité du Solid State Drive (SSD) :
2 To
Choc hors fonctionnement :
1500 G
Classe TBW :
1200
composant pour :
Universel
Consommation d 'énergie (en mode veille) :
0,005 W
Consommation électrique (Ecriture) :
4,7 W
Consommation électrique (idle) :
0,06 W
Consommation électrique (Lecture) :
5,5 W
Facteur de forme SSD :
M.2
Flux de données d'interface PCI Express :
x4
Hauteur :
2,38 mm
Humidité relative de fonctionnement (H-H) :
5 - 95%
Interface :
PCI Express 4.0
Largeur :
80,2 mm
Le chiffrement matériel :
Oui
NVMe :
Oui
Période de garantie :
5 année(s)
Poids :
9 g
Profondeur :
22,1 mm
Révision CEM PCI Express :
4,00
Support S.M.A.R.T. :
Oui
Support TRIM :
Oui
Taille du SSD M.2 :
2280 (22 x 80 mm)
Taux d'humidité relative (stockage) :
5 - 95%
Température d'opération :
0 - 70 °C
Température hors fonctionnement :
-40 - 85 °C
Temps moyen entre pannes :
1500000 h
Tension de fonctionnement :
3,3 V
Type de mémoire :
V-NAND TLC
Type d'emballage :
Boîte
Version NVMe :
2.0
Vibrations hors fonctionnement :
20 G
Vitesse de lecture :
5000 Mo/s
Vitesse d'écriture :
4200 Mo/s

Description

Samsung 990 EVO. Capacité du Solid State Drive (SSD): 2 To, Facteur de forme SSD: M.2, Vitesse de lecture: 5000 Mo/s, Vitesse d'écriture: 4200 Mo/s, composant pour: Universel